Samsung представи нова пътна карта за 3D паметите в битката за лидерство при AI

Samsung Electronics Co. представи част от най-новите си разработки при чиповете памети, като акцентира върху по-високата производителност и по-добрата енергийна ефективност в опит да изпревари конкурентите си SK Hynix Inc. и Micron Technology Inc. в надпреварата за дългосрочно технологично лидерство.

Новата система подрежда високоскоростната памет (HBM) вертикално върху AI ускорители, като осигурява приблизително осем пъти по-висока производителност спрямо следващото поколение HBM5, съобщиха от Samsung.

Благодарение на усъвършенствана технология за свързване на силициевите пластини , системата ще предлага над десет пъти по-висока плътност на паметта спрямо HBM5, като същевременно позволява разработването на персонализирани конфигурации. Компанията планира да увеличи производството на HBM4 през втората половина на тази година.

Засега Samsung не посочва конкретен график за HBM5 и за бъдещата технология.

Конкуренцията при AI паметите навлиза в нов етап

Технологичният напредък на Samsung идва на фона на ожесточена конкуренция на пазара на памети, чиято стойност се доближава до 1 трилион долара. Компанията се конкурира пряко със SK Hynix, която си осигури ранно предимство в бума на AI паметите, както и с базираната в САЩ Micron.

Докато водещите производители се стремят да спечелят доходоносни договори с операторите на центрове за данни и да разширят производствения си капацитет, представянето на архитектури от следващо поколение преди конкурентите се превръща в ключов фактор за привличането на големи клиенти.

Още по темата

Ралито на Samsung и SK Hynix принуждава фондове да продават

Samsung избегна стачка и криза при чиповете с бонуси до $340 000

zHBM и zNAND-O разширяват AI екосистемата на Samsung

Новата система, наречена zHBM, подчертава стремежа на Samsung да се утвърди като доставчик на цялостна инфраструктура за ерата на изкуствения интелект.

Компанията представи и zNAND-O - решение от следващо поколение за NAND памети, базирано на технологията V-NAND, което според Samsung осигурява по-добра поддръжка на AI приложения, обработващи големи обеми данни в реално време.

Компанията показа и нова архитектура V10 BV-NAND

Samsung представи и първата в индустрията архитектура V10 BV-NAND, която използва нова технология за свързване на силициевите пластини и включва над 400 слоя.

Решението увеличава плътността на съхранение с близо 60% спрямо предходното поколение, като едновременно с това подобрява скоростите на четене и запис.

Наред с новите хардуерни разработки компанията представи и продуктова пътна карта, включваща следващо поколение чипове с обработка в паметта (Processing-in-Memory) и корпоративни системи за съхранение на данни с голям капацитет.

Още по темата

Рекордната печалба на Samsung не успява да впечатли след ралито на AI чиповете

Samsung и SK Hynix с инвестиции от 1,3 трлн. долара в рамките на 10 години